电子物料回收公司-「回收bga芯片」

报废电子物料回收公司,工厂回收bga芯片,分离出电解质部分中的离子化金可溶物。当然各个方面都可以合并为一个统一的金纯化工艺，该工艺将电解金的步骤合并为一个浸渍氯化物溶液，

同时通过半渗透屏障将所得的所述浸渍电解质中的阳极离子化金溶液与阴极分离，从分离出的离子金溶液中滤出任何氯化物不溶性杂质；通过向其中加入足够的亚硫酸氢钠从滤液中沉淀出金属金，并从保留任何可溶非金杂质的溶质中除去金属金。本发明的另一方面在于进行上述步骤的整体装置。其包括电解部分，分离部分沉淀部分和相关的使用部分，所述电解部分包括含电解质的容器，将要纯化的金的阳极浸没在电解质中，所述电解质被浸渍催化。浸渍氧化剂；半渗透阻挡层装置，用于将邻近所述金阳极的部分电解质与邻近所述阴极的电解质隔离，所述阻挡层是半渗透性的，即通过具有卤化离子可渗透卤而不能渗透金和其他重。孔径小于约微米；所述分离区包括装置，例如过滤器或离心机，用于从转移到其上的含金阳极部分液相中除去不溶物。沉淀部分过滤后的液相转移到部分，因此含有一个容器和一个亚硫酸氢盐还原溶液源，用于向该容器中的液相中添加以将金离子还原成金属金，以及从该金属中回收金的装置。含有任何可溶性杂质的上清液溶质bga芯片；所述整体装置包括具有电解电流源的使用部分电子物料；用于将分离的电解质转移到所述部分的转移装置报废；用于将液相线转移到沉淀部分以及将无金溶质转移到处理装置的附加转移装置工厂，例如在此概括地公开了所有上述方面公司，并且旨在用于所述目的的所有本领域认可的等同步骤回收，手段和组合物可以看出，本发明提供了相对于技术状态的显着进步。

由于可以在本发明的范围内进行许多修改和构造，因此该范围由本文的权利要求书来衡量。本发明是在美国政府的支持下，由美国国家科学基金会授予的资助号。美国政府对本发明享有一定的权利。技术领域本发明一般涉及从金属废料中回收贵，尤其涉及从合金和金与贱金属的机械结合中回收金。本领域认识到从带有贱金属的金合金，镀金制品和包金制品中回收金的多种方法。后者包括被称为填充金或被标识为轧制金盘子的物品。在美国除非另有说明，否则这两个术语均指已附着质量不低于克拉的金片的贱金属制品。可以通过钎焊，钎焊焊接或其他机械方式将附件附接到一个或多个表面。指定为填充金的物品的表面层必须为或更纯的金bga芯片，

其中克拉金至少为物品总重量的分之三电子物料。具有较薄的金涂层的制品可以标记为轧制金板报废。表壳是一个特殊的例外工厂，因为覆金制品的厚度而不是相对于整个制品的重量是质量分类的标准公司。除了从废珠宝和其他装饰性金器中回收金之外，从印刷电路板和类似电子设备中回收金也很重要回收。如本文所用，贱金属比金更易被氧化并且通常更具活性。与正金属离子的反应或氧化形式相反，处于零氧化态的金，报废电子物料回收公司，铜或其他金属应称为或元素形式。含金合金例如用于珠宝的金属通常含有大量的铜，工厂回收bga芯片，在某些情况下还包含镍，银和其他金属，这些金属会硬化或改变所得合金的颜色。表壳和其他装饰物品通常由黄铜，青铜或其他贱金属合金制成，这些合金通常包含大量的铜以及锌，锡或其他金属bga芯片。

极少数情况下电子物料，金是作为镀层涂覆的报废，或者与铁类材料结合使用工厂。在电子电路板等中公司，金通常镀在铜上回收，偶尔也延伸到焊料主要是铅，锡和锌上在刚才提到的许多废品中，与金属相关的贱金是出于装饰目的或由于将金用于保护目的而故意部分或完全被金覆盖，通常是为了避免腐蚀或增强导电性。尽管有些在金合金基体金属的是在表面上，当然其余的通过由所述合金制成的制品的体分布。结果在贱金属可能被化学侵蚀和溶解之前，传统上金也必须被溶解或者贱金属必须以与湿法冶金处理之前的粉碎IC芯片相当的方式进行机械暴露，以允许进入金属以及其中所含的矿物质。因此在等人的美国专利在,中贱金属从印刷电路板废料中的金板下面溶解，用作贱金属蚀刻介质的硝酸只能作用于暴露在镀金区域边缘的贱。在等人的文章中指出，仅当相邻区域的金剥落了，因为其基础金属托板被去除后，位于镀金区域下方的基础金属才可与硝酸接触。从废料中回收金的其他过去方法通常涉及酸或电子产品反应，其中将要回收的金与存在的其他金属一起溶解在其中bga芯片。然后在随后的步骤中从溶液中分离出金电子物料。通过美国专利,的方法获得了与等人所述相近的结果报废。在美国专利第,号中使用含活性氧的浸出液用铵盐的氨溶液与金紧密结合的贱金属工厂。该方法和等人的均未在引用的参考文献中描述为有效地从金合金中除去合金金属有时在本文中称为克拉金公司。已知各种方法从其IC芯片中除去金属回收，包括通过用含有氧化剂和络合剂的溶液浸出，以元素形式提取少量的此类金属。通常这种方法要求至少在浸出过程之前并且有时在中将IC芯片粉碎。相对于金此类IC芯片通常包含很大比例的铜或其他金属碱。在这样的过程中，金和贱金属都被溶解，然后最终通过化学或电化学还原被回收。例子包括钱伯斯等人的美国专利,等人的美国专利,

和美国侯根,

等人美国专利美国专利,教导了一种应用于烟道粉尘的类似方法。除钱伯斯等人外，所有提及的方法均在氧化气氛下进行。等人教导了用含有氯化铜和氯化钠的溶液浸出复杂的IC芯片。钱伯斯等人教导说，应在基本上防止铜与氧气接触的条件下进行浸出。给出的原因是，