废旧电子产品回收公司呢-「收购内存芯片」
admin 电子IC 发布日期:2021-10-19 00:26:27
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滤饼送氯气至浸泡操作反应器,溶液送废水处理操作;预浸去除杂质的结果见下表。表预浸去除杂质的技术指标氯化浸金氯化浸金工艺并在搪瓷反应釜中进行内存芯片,以盐酸为浸出剂电子产品,加入滤饼中上一步报废,滤饼与盐酸的固液比为工厂,盐酸的浓度为公司,通入氯气进行氯化浸金反应废旧,耗氯量为氯浸出的反应条件为值为收购,反应温度为回收,反应时间为小时;反应终止后混合物,冷却至过滤,滤液进行下一步金黄色还原工作。氯化浸金的技术指标见表。表氯化浸金的技术指标金用浸出金水洗净后过滤除去氯化物渣,再泵入另一个玻璃钢反应容器中进行还原。用氢氧化钠调节,缓慢加入还原剂溶液,溶液浓度为,还原剂的溶液消耗量及铸锭原料的重量比为,调节反应溶液的为降低,电解温度为,电解时间为。反应终止后,收集一次还原的金底部反应器;该步骤反应终止后的生产及技术指标见表。表一次还原金的工艺指标二次氯化浸金在前一步的一次金中加入盐酸作为浸出剂,金为盐酸的固液比,盐酸浓度为,通入氯气进行二次氯化浸金反应,氯的消耗量为,氯浸的反应条件温度为,反应时间为小时内存芯片。氯浸出终止反应混合物电子产品,首先加热至报废,
保温分钟然后将混合物冷却至工厂,过滤得到滤液公司,然后进行下一步反应废旧。二次还原调整前一步骤的值滤液为收购,以雾化方式加入浓度为的还原剂溶液回收,在二次还原反应中,还原剂的消耗量为反应中剂消耗量的;调节反应液的降低,电解温度回收时间小时。反应终止后,二次还原金收集的底部反应器为高纯金产品。铸锭风化该技术采用液压倾斜式中频炉高压风化泵并引进完成,风化能力批,报废废旧电子产品回收公司呢,时间细度为占以上,占以上杂质的预浸渍去除杂质的预浸渍去除仍在搪瓷反应釜中进行,工厂收购内存芯片,以盐酸为浸出剂,分别用金泥和盐酸溶液分别倒入反应容器中,固体液比为,盐酸浓度为。预浸除杂质的反应条件为中的值为,反应温度为,反应时间为小时。浸出并终止于玻璃钢真空过滤机中,进行热洗过滤,滤饼送氯气至浸泡操作反应器,溶液送废水处理操作;预浸去除杂质的结果示于下表内存芯片。表预浸去除杂质的技术指标氯化浸金氯化浸金工艺并在搪瓷反应釜中进行电子产品,以盐酸为浸出剂报废,加入滤饼中上一步工厂,滤饼与盐酸的固液比为公司,盐酸浓度为废旧,通入氯气进行氯化浸金反应收购,耗氯量为氯浸出的反应条件为值为回收,
反应温度为,反应时间为小时;反应终止后混合物,冷却至过滤,滤液进行下一步金黄色还原工作。氯化浸金的技术指标结果见表。表氯化浸金的技术指标金用浸出金水洗净后过滤除去氯化物渣,再泵入另一个玻璃钢反应容器中进行还原。用氢氧化钠调节,缓慢加入还原剂溶液,溶液浓度为,还原剂溶液的消耗量与铸锭原料的重量比为,调节反应溶液的为降低,电解温度为,电解时间为。反应终止后,收集一次还原的金底部反应器;该步骤反应终止后的生产及技术指标见表。表一次还原金的工艺指标二次氯化浸出金在上一步一次的金中添加盐酸作为剂,同时添加软酸,金与盐酸的固液比为,盐酸的浓度为,软酸的消耗量为。进入氯气进行二次氯化浸出金反应内存芯片,氯的消耗量为电子产品,氯浸出的反应条件为温度为报废,反应时间为小时工厂。氯的浸出终止反应混合物的后部公司,首先将其加热至废旧,保温分钟然后将混合物冷却至收购,过滤得到滤液并进行下一步反应回收。二次还原调整前一步骤的值滤液为,以雾化方式加入浓度为的还原剂溶液,在二次还原反应中,还原剂的消耗量为反应中剂消耗量的;调节反应液的为降低,电解温度为,回收时间为小时。
反应终止后,二级还原金回收塔底反应器为高纯金产品。表高纯金全元素分析检测结果通过提取工艺总分析检测出的高纯金产品,检测结果见上表从上述高纯金全元素分析表中可以看出,产品中的含金量最高达到,完全满足高纯金的要求。以上仅为本发明的优选实施例,并不用于限制本发明,在本发明的精神和原则之内,所有修改等同替换,改进等均应包括在本发明的保护范围之内。本发明涉及从与铜的湿法生产有关的铜原料的浸出中产生的含硫和铁的废料或中间产物中回收金的方法。