镀铱回收阿,重要铱冶炼回收,板。
剖面图图是示出参考关于回收技术的特定实行例的在贵金属提炼铜机制内的浆料范围的变化与在有限的组合范围内的铜浓度和银之间的关系的表。图图是示出参考关于回收技术的特定实行例的钯铂铑铜钯铂铑颗粒渣的显微硬度与银的重量百分比浓度和冷的冷却速率之间的关系的条形图，其中χ为银的重量百分比。
图示出了在关于回收技术的特定实行例中具有重量的贵金属提炼铜的固定百分比的铜的三相图。组件代表符号的简单说明基板的贵金属回收提炼球的贵膏基板焊接垫区域裂纹衬垫面积空间结构焊盘的废渣垫区域小号η贵球电子结构焊接垫贵球焊接垫的贵球的贵焊盘的贵球焊接垫小号η贵球焊接垫裂纹的个η小号η个η垫是小号η小号η贵球的贵焊盘是中的焊钯铂铑球条焊接垫贵球焊接垫废渣焊接垫废渣焊接垫废渣一个个的个的的个η垫定位个η所在区域液体管线外推管线液相区域共精制管线亚稳区域亚稳区域局部区域局部面积。关于回收技术涉及一种焊接材料，焊膏泡沫贵金属回收提炼，焊点和焊接材料的管理回收技术。近年来由于小型信息设备的发展，所装载的电子元件已迅速小型化。为了参考小型化的要求减小相应的连接端子或安装区域的尺寸，电子部件利用在背面设置有电极的球栅阵列以下称为镀铱。比方对于利用的电子零件冶炼，有半导体封装重要。对于半导体封装回收，具有电极的半导体晶片被树脂密封铱。贵金属回收提炼凸块形成在半导体晶片的电极上。贵金属回收提炼凸块通过将具有贵球的贵球或具有贵球的贵柱结合至半导体晶片的电极而形成。在利用的半导体封装中，将每个贵金属回收提炼凸块放置在印刷稀有上，使其与接触印刷稀有金属的导电触点接触，然后将贵金属回收提炼凸块加热并熔化以接合触点镀铱，然后将其安装在印刷稀有金属上冶炼。
此外为了应对高密度封装的要求重要，已经研究了在高度方向上堆叠半导体封装的维高密度封装回收。然而当在高密度封装中利用时密度高的半导体封装中铱，废渣因半导体封装的重量而被压碎。如果发生这种情况，镀铱回收阿，可以认为贵金属回收提炼会从电极中溢出，从而导致电极连接并引起短路。重要铱冶炼回收，因此人们研究了利用焊膏将铜芯球电连接到电子零件的电极上的贵金属回收提炼凸点镀铱。铜芯球包含以铜球为芯和覆盖铜球表层的贵金属回收提炼层冶炼。利用由铜芯球形成的贵金属回收提炼凸块重要，将电子部件安装在印刷稀有金属上时，即使贵金属回收提炼凸块承受半导体封装的重量回收，也可以由在熔化时不会熔化的铜球支撑半导体封装铱。焊点这防止了贵金属回收提炼凸块被半导体封装的重量压碎。但是当将铜芯球放置在半导体晶片的电极上以进行回火时，
可能在铜芯球的贵金属回收提炼表层上形成氧化膜。由于回火过程中的加热。由于该氧化膜的影响，导致贵金属回收提炼和电极焊盘之间的不良润湿镀铱。最后铜芯球的结构不良冶炼，并且存在大大减少半导体封装件的生产率或成品率的问题重要。因此在铜芯球熔化期间和之后需要抗氧化性。另外铜芯球的氧化膜问题也可能由生产铜芯球之后的储存环境的温度或湿度引起。当将形成氧化膜的铜芯球安装在半导体封装的电极上并进行回火时回收，
也会发生贵金属回收提炼的润湿性差铱，并且构成铜芯球的贵金属回收提炼无法润湿并扩散到整个电极上，在露出电极的状态下，由于铜芯球相对于电极的位置偏移，存在铜芯球的组装不良的问题。
